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    在和GE接近半年的讨价还价中，针对超导材料以及后续所有加工工艺，心怀鬼胎的GE最终拿出了两个交换方案。

    一个是交换GE第一代单晶合金Rene  N4配方极其相关的单晶成长等加工工艺。另一个就是交换航空发动机叶片陶瓷防热涂层配方极其相关的电子束物理气相沉积工艺。

    当李远玲清晰的说出“电子束物理气相沉积工艺”这几个字之后，恍如一道明亮的闪电劈过梁远的思维空间。

    曾经隐藏在最角落里的记忆猛然如海潮般泛起，几乎瞬间梁远就明白了李远玲所说的单晶合金技术为啥和港基集电产生了联系。

    电子束物理气相沉积这个词语的基点在物理气相沉积这段词语上，而重点则是在电子束上。

    物理气相沉积(Physical  Vapor  Deposition，PVD)起源于二十世纪早期，技术具体方式是在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）在基体表面沉积具有某种特殊功能薄膜的过程。

    比如梁远搞出来的超导材料二硼化镁，最终进行工业级别的超导薄膜生产时。所采用的批量生产技术就是物理气相沉积。

    物理气相沉积的方法实际上有许多种：真空蒸镀、溅射镀膜、电子束算是其中最先进的一种。

    通过科学家多年的实践，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等材质。

    重点的地方来了，航空发动机通过物理气相沉积技术在单晶涡轮叶片上沉积耐热的陶瓷层，集成电路行业则是使用该技术在晶圆上沉积导电金属。

    如果更改电子束发射枪的性质功率，对工作环境，工作参数进行针对性修改之后，那么这套使用在单晶涡轮耐热涂层上的设备就会变成另外几种事物——大名鼎鼎的等离子蚀刻设备、集成电路后期封装设备。

    现代晶圆生产线的核心从来都不是晶圆本身，在晶圆上加工出集成电路才是生产线的重点，等离子蚀刻设备就是晶圆生产线最为核心的设备，而物理气相沉积技术更是分立器件行业最常用的技术之一。
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